دستگاه رشد تک بلور دما بالای (۱۲۰۰ – ۱۶۰۰ درجه سانتیگراد) چاکرالسکی با قابلیت رشد نیمه هادی ها به ویژه سیلیکون توسط شرکت برج یاقوت طراحی و ساخته شده است.

 مواد نیمه هادی اساس پیشرفت های چشمگیر قرن ۲۱ محسوب می‌شود که سیلیکون با توجه به گستره تاثیر گذاری در حوزه های مختلف نانوتکنولوژی، مایکرو و نانوالکترونیک، سلول های خورشیدی و صنایع دیگر در صدر این تاثیر گذاری ها قرار دارد. بخش گلوگاهی فرآیند تولید ویفر سیلیکونی، رشد تک بلور است که دارای پروفایل دمایی بسیار حساس چند بعدی و در عین حال متغیر در زمان است که باید از طریق کنترل اتمسفر، حرکت و کشش، سرعت دوران و دمای شمش به صورت کاملا هوشمند در تمام طول فرآیند کنترل گردد.

طی ساخت این دستگاه برای دستیابی به دانش فنی تحقیق دقیقی در مورد پدیده های انتقال حرارت تشعشعی، همرفت و رسانایی، پدیده انجماد صفحه ای تک پلور، مواد ویژه مورد استفاده و حسگرهای هایتک برخط که بتوان به درستی فرایند را کنترل نمود توسط یک تیم بین رشته ای صورت گرفته است. این دستگاه قابلیت سفارشی سازی ابعاد و نوع ماده ورودی را دارد. تیم تخصصی شرکت برج یاقوت در زمینه های مختلف علمی و فنی آمادگی مشاوره قبل از سفارش دستگاه و پشتیبانی پس از فروش را دارد.